Dans l'expérience P4.1.6.5, le transistor à effet de champ comme amplificateur en mode circuit source et en mode circuit gate est étudié et les propriétés des circuits déterminées.



É quipement comprenant :

3 576 81 Plaque à ré seau prise de sé curité , 20/10

1 578 772 Transistor à effet de champ J112

1 577 56 Ré sistance 10 kOhms, STE 2/19

1 577 58 Ré sistance 15 kohms, STE 2/19

1 577 61 Ré sistance 33 kohms, STE 2/19

1 577 657 Ré sistance 68 kohms, STE 2/19

1 577 68 Ré sistance 100 kohms, STE 2/19

1 577 76 Ré sistance 1 Mohm, STE 2/19

2 578 35 Condensateur 1 µ F, STE 2/19

1 578 36 Condensateur 2,2 µ F, STE 2/19

1 578 38 Condensateur é lectrolytique 47 µ F, STE 2/19

1 501 48 Cavalier STE 2/19, jeu de 10

1 522 621 Gé né rateur de fonctions S 12

1 521 488 Alimentation é lectrique AC/DC 0...12 V/3 A

1 575 302 Oscilloscope 30 MHz, numé rique, PT1265

2 575 24 Câ ble blindé , BNC/4 mm

1 531 120 Multimè tre LDanalog 20

2 500 621 Câ ble de connexion de sé curité 50 cm, rouge

2 500 622 Câ ble de connexion de sé curité 50 cm, bleu

1 500 624 Câ ble de connexion de sé curité 50 cm, noir

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