Ref: 578772
Transistor à éffet de champ J112
Transistor à effet de champ pour la réalisation d'expériences de base dans le domaine de l'électronique.
Caractéristiques techniques:
- FET à canal N
- Puissance dissipée : max. 625 mW
- Applications : étages d'entrée à haute impédance
Caractéristiques techniques:
- FET à canal N
- Puissance dissipée : max. 625 mW
- Applications : étages d'entrée à haute impédance
Poids: 0 Kg Delai de livraison estimé : 12 semaines