Transistor à effet de champ à canal n et blocage automatique.
Avec diode rapide en parallèle inverse (FREDFET) et circuit de protection RCD déconnectable.
Pour la réalisation de hacheurs, d'alimentations à découpage et d'onduleurs autonomes à haute fréquence de commutation.
Tension drain-source (U DS ): 500 V
Courant continu du drain (I D ): 10 A
Résistance de passage (R DS(ON) ): 0,6 ohms

Poids: 0.55 Kg
Delai de livraison estimé : 12 semaines