Élément enfichable pour la réalisation d'expériences permettant d'étudier le fonctionnement et l'utilisation d'une barrière lumineuse.

Caractéristiques techniques :
Ouverture du U : 4mm
Émetteur : diode infrarouge Courant direct : max. 50mA
Récepteur : phototransistor NPN Puissance dissipée : max. 100mW
Tension d'alimentation : 5V-

Sciences > Physique > Produits > Electicité/Electronique > Électricité/électronique (STE) > Composants opto-électroniques STE

Poids: 0.13 Kg
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