Ref: P4.1.5.1
P4.1.5.1 Etudes des propriétés de diodes des jonctions d'un transistor
L'objet de l'expérience P4.1.5.1 est le montage de principe du transistor bipolaire puis sa comparaison avec une diode.
A cette occasion, on étudie explicitement la différence entre transistor npn et pnp.
Équipement comprenant :
1 576 81 Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10
1 578 67 Transistor BD 137, NPN, ém. bas, STE 4/50
1 578 68 Transistor BD 138, PNP, ém. bas, STE 4/50
1 577 32 Résistance 100 Ohms, STE 2/19
1 521 488 Alimentation électrique AC/DC 0...12 V/3 A
2 531 120 Multimètre LDanalog 20
2 500 621 Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge
3 500 622 Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu
A cette occasion, on étudie explicitement la différence entre transistor npn et pnp.
Équipement comprenant :
1 576 81 Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10
1 578 67 Transistor BD 137, NPN, ém. bas, STE 4/50
1 578 68 Transistor BD 138, PNP, ém. bas, STE 4/50
1 577 32 Résistance 100 Ohms, STE 2/19
1 521 488 Alimentation électrique AC/DC 0...12 V/3 A
2 531 120 Multimètre LDanalog 20
2 500 621 Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge
3 500 622 Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu
