Transistor bipolaire à grille isolée IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Sa caractéristique d'entrée est semblable à celle d'un transistor à effet de champ à blocage automatique (MOSFET) et sa caractéristique de sortie à celle d'un transistor bipolaire de puissance.
Avec diode rapide en parallèle inverse et circuit de protection RCD déconnectable.
Cette plaque est utilisée dans des montages d'application à haute fréquence de commutation sous tension élevée: hacheurs, alimentations à découpage, onduleurs autonomes.
Tension maximale collecteur-émetteur (U CEV ): max. 1000 V
Courant collecteur (I C AV ): max. 10 A
Tension de saturation collecteur-émetteur (U CE SAT ): 3,5 V
Capacité d'entrée grille-émetteur (C GE ): 1,8 nF
Sa caractéristique d'entrée est semblable à celle d'un transistor à effet de champ à blocage automatique (MOSFET) et sa caractéristique de sortie à celle d'un transistor bipolaire de puissance.
Avec diode rapide en parallèle inverse et circuit de protection RCD déconnectable.
Cette plaque est utilisée dans des montages d'application à haute fréquence de commutation sous tension élevée: hacheurs, alimentations à découpage, onduleurs autonomes.
Tension maximale collecteur-émetteur (U CEV ): max. 1000 V
Courant collecteur (I C AV ): max. 10 A
Tension de saturation collecteur-émetteur (U CE SAT ): 3,5 V
Capacité d'entrée grille-émetteur (C GE ): 1,8 nF
Poids: 0.55 Kg Delai de livraison estimé : 12 semaines
